كشفت شركة سامسونغ للإلكترونيات عن أول نموذج مفاهيمي لتقنية zHBM، وهي بنية مبتكرة لذاكرة الجيل القادم، تتوقع الشركة أن تقدم أداءً يصل إلى نحو ثمانية أضعاف أداء تقنية HBM5 الحالية، في خطوة تستهدف تلبية الطلب المتزايد على حلول الذكاء الاصطناعي عالية الأداء.
وجاء الإعلان خلال مؤتمر “مستقبل الذاكرة والتخزين 2026” الذي استضافته مدينة سانتا كلارا بولاية كاليفورنيا الأمريكية، حيث استعرضت سامسونغ رؤيتها لتطوير تقنيات الذاكرة المخصصة للحوسبة المتقدمة.
وأوضحت الشركة أن تقنية zHBM تعتمد على تصميم جديد يقوم بتكديس وحدات ذاكرة النطاق العريض (HBM) عمودياً فوق مسرعات الذكاء الاصطناعي مباشرة، بدلاً من وضعها بجوار المعالج كما هو معمول به في التصاميم التقليدية، وهو ما يسهم في رفع كفاءة نقل البيانات وتقليل زمن الوصول.
وأكدت سامسونغ أن التقنية الجديدة تحقق كثافة ذاكرة تزيد بأكثر من 10 أضعاف مقارنة بتقنية HBM5، مع تحسين كفاءة استهلاك الطاقة إلى ثلاثة أضعاف، إلى جانب خفض المقاومة الحرارية بأكثر من 50%، ما يعزز استقرار الأداء في تطبيقات الذكاء الاصطناعي المكثفة.
كما تتيح zHBM إمكانية تصميم حلول مخصصة للعملاء من خلال دمج الملكية الفكرية داخل الطبقة الفاصلة بين الذاكرة ومسرعات الذكاء الاصطناعي، الأمر الذي يسهم في زيادة السعة وتحسين أداء المعالجات وفق احتياجات كل تطبيق.
وترى سامسونغ أن تقليل المسافة بين الذاكرة ومعالجات الذكاء الاصطناعي سيوفر نطاقاً ترددياً أعلى وكفاءة أكبر في استهلاك الطاقة، ما يجعل التقنية الجديدة مناسبة لتطبيقات التدريب والاستدلال في نماذج الذكاء الاصطناعي الضخمة، ويعزز مكانة الشركة في سباق تطوير تقنيات الذاكرة المتقدمة.
اقرأ أيضًا:
روسكوسموس: خطة روسية أمريكية لإخراج محطة الفضاء الدولية من المدار بدءًا من 2028
